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BUZ32 E3045A

工場モデル BUZ32 E3045A
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
パッケージ PG-TO263-3
株式 4910 pcs
データシート BUZ32 L3045A/SMDPart Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4910のInfineon Technologies BUZ32 E3045Aの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 400mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大） 75W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 530 pF @ 25 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 200 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A (Tc)
基本製品番号 BUZ32

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